场效应管irf3205中文资料:规格参数、特点、应用、引脚图、替代型号及应用电路图 -尊龙凯时官方app下载

场效应管irf3205中文资料介绍

ir的hexfet功率场效应管irf3205采用先进的工艺技术制造,具有极低的导通阻抗。irf3205是一个高电流n沟道mosfet能够切换电流高达110a和55v。mosfet的特长在于它的导通电阻非常低,仅为8.0mω,使其适用于诸如逆变器,电机速度控制,dc-dc转换器等开关电路。它还是一种易于获得且价格低廉的mosfet。

to-220封装的irf3205普遍适用于功耗在50w左右的工商业应用,低热阻和低成本的to-220封装,使irf3205得到业内的普遍认可。d2pak封装的irf3205适用于贴片安装,比起现有的任何其他贴片封装,可说是功率最高,导通阻抗最低。to-262是irf3205的通孔安装版,适合较低端的应用。

场效应管irf3205中文资料:规格参数、特点、应用、引脚图、替代型号及应用电路图

irf3205规格参数

产品型号

irf3205

制造商

international rectifier

制造商包装说明

to-220ab,3针

符合reach

雪崩能量等级(eas)

264.0兆焦耳

组态

单头内置二极管

最大漏极电流(abs)(id)

98.0安

最大漏极电流(id)

75.0安

最大电阻下的漏源

0.008欧姆

ds击穿电压-最小值

55.0伏

场效应管技术

金属氧化物半导体

jedec-95代码

to-220ab

jesd-30代码

r-psfm-t3

jesd-609代码

00

元素数

1.0

端子数

3

操作模式

增强模式

最高工作温度

175℃

包装主体材料

塑料/环氧树脂

包装形状

长方形

包装形式

法兰安装

峰值回流温度(℃)

225

极性/通道类型

n通道

功耗环境最大值

150.0瓦

最大功率耗散(abs)

150.0瓦

脉冲漏极电流最大值(idm)

390.0安

子类别

fet通用电源

终端完成

锡/铅(sn / pb)

终端表格

贯穿孔

终端位置

时间@峰值回流温度-最大值(秒)

30

晶体管应用

交换

晶体管元件材料

irf3205特点

· n沟道功率mosfet

· 当vgs为10v时,连续漏极电流(id)为110a

· 最小栅极阈值电压2v

· 漏极至源极击穿电压:55v

· 导通电阻低至8.0mω

· 栅极-源极电压(vgs)为±20v

· 上升时间为101ns

· 通常用于电源开关电路

· 采用to-220封装

irf3205应用领域

· 切换应用

· 升压转换器

· 斩波器

· 太阳能逆变器

· 速度控制

irf3205引脚图

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irf3205封装

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irf3205替代型号

irf3205替代型号有:irf1405,irf1407,irf3305,irfz44n,irfb3077,irfb4110等

irf3205应用电路图

irf3205大功率方波逆变器电路图

本逆变器是高频逆变器,彻底摒弃了笨重的工频变压器,不仅减小了体积,而且提高了效率,还没有工频变压器发出的嗡嗡声。本逆变器是典型的高频逆变工频输出结构:dc-ac-dc-ac结构(12vdc-330vac0 30khz-330vdc-230vac 50hz)。本逆变器设有稳压和输出过流保护功能。

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irf3205 mosfet驱动电路图

驱动电路就是一个电阻r17和一个三极管q4,当mcu_io是高电平1的时候,三极管导通,mosfet的门极电压降低到低电平,此时mosfet关闭,当mcu_io是低电平的时候,三极管q4关闭,此时mosfet导通。

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irf3205 mosfet驱动电路图

下图三角形的是运放,我们可以看得出,这个运放现在是充当一个比较器,这个比较器的反向端我给他一个1v的恒定电平(当然,0.5v/1.5v都行),mcu_io(接单片机的控制端口)如果输出高电平(电压肯定高于1v),比较器的输出结果就接近于vcc。这里需要注意,这个比较器输出的电压到底是多少?此时比较器输出的所谓高电平,其实是比较器的供电电压vcc,你给这个比较器供电电压时多少,此时就输出多少(略小于vcc),比如,这里我们给比较器的供电电压是12v(这也是mosfet的最佳操作电压),此时比较器输出12v,这个12v就加在mosfet的门极上,mosfet就会导通,负载就会通电。这个比较器你可以使用任何运算放大器芯片来搭建,比如lm358/lm324等等。

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